純度遠高于優(yōu)級純的試劑叫做高純試劑。是在通用試劑基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，是為了專門的使用目的而用特殊方法生產(chǎn)的純度最高的試劑。高純試劑控制的是雜質(zhì)項含量，基準試劑控制的是主含量，基準試劑可用標準溶液的配制，但高純試劑不能用于標準溶液的配制（單質(zhì)氧化物除外）。
目前在國際上也無統(tǒng)一的明確規(guī)格，我國除對少數(shù)產(chǎn)品制定了國家標準外，大部分高純試劑的質(zhì)量標準還很不統(tǒng)一，在名稱上也有高純、超純、特純、光譜純、電子純等不同叫法。一般以9來表示產(chǎn)品的純度。故在規(guī)格欄中標以2個9、3個9、4個9以此類推，根據(jù)這個原則可將高純物質(zhì)分為：
雜質(zhì)總含量不大于1.5×10-2%，其純度為3.5個9（99.95）簡寫為3.5N
雜質(zhì)總含量不大于1.0×10-2%，其純度為4個9（99.99）簡寫為4.0N
雜質(zhì)總含量不大于1.0×10-3%，其純度為5個9（99.999）簡寫為5N
對高純試劑或高純元素純度或雜質(zhì)含量的檢驗，一般常用原子吸收光譜、原子發(fā)射光譜、色譜、質(zhì)譜比色化學分析等方法進行測定。其陰離子規(guī)格原則上參照試劑優(yōu)級標準，沒有優(yōu)級標準的產(chǎn)品由生產(chǎn)單位自行制定。根據(jù)用途不同，把高純試劑又分成幾大類：
普通離純試劑
是指一些高純單質(zhì)金屬、氧化物、金屬鹽類等，常用于原子能工業(yè)材料、電子工業(yè)材料、半導體基礎(chǔ)材料等，金屬單質(zhì)的氧化物、用來配制標準溶液和作為標準物質(zhì)，該類試劑常要求含量在4N-6N之間。
超凈電子純試劑
超凈高純試劑是集成電路（IC）制造工藝中的專用化學品，用于硅片清洗、光刻、腐蝕工序中。對這種高純試劑中可溶性雜質(zhì)和固態(tài)微粒要求非常嚴格，為適應(yīng)IC集成度不斷提高的需求，國際上半導體工業(yè)協(xié)會（SemiconductorIndustryAssociation）近來推出Semic7(適合0.8-1.2微米工藝技術(shù))和Semic8(適合于0.2-0.6微米工藝技術(shù))級別的試劑質(zhì)量標準。我國在原有MOS級、BV-I級試劑的基礎(chǔ)上，又制定出BV-II級和BV-III級試劑標準（相當于Semic7）。我研究所也研制多種MOS級、BV-I級BV-II級和部分BV-III級試劑，其顆粒度（0.5微粒顆粒）≤25-100個∕ml，金屬雜質(zhì)總量≤10-3—10-5﹪
光刻膠高純試劑
光刻工藝是一種表面加工技術(shù)，在半導體電子器件和集成電路制造中占有重要地位。為在表面實現(xiàn)選擇性腐蝕，采用一類具有抗蝕作用的感光樹脂材料作為抗蝕涂層，稱為抗蝕劑，國內(nèi)通稱光刻膠。按照溶解度的不同而將光刻膠分為“正性"光刻膠和“負性"光刻膠，按所用曝光光源和輻射光源的不同，又可將其分為紫外、遠紫外、電子束、X射線等光刻膠。
光刻膠是微細圖形加工的一種關(guān)鍵試劑，要求水分低、金屬雜質(zhì)含量低（≤10-6）
磨拋光高純試劑
是指用于硅單晶片表面的研磨和拋光的高純度試劑。它又分磨粉（三氧化二鋁）和磨液（水和油劑），能研磨表面達到微米級加工精度。這類試劑要求顆粒粒度小（納米），純度高，金屬雜質(zhì)一般要求2.0×10-4—5×10-5﹪
液晶高純試劑
液晶是一類電子化學材料，是指在一定溫度范圍內(nèi)呈現(xiàn)介于固相和液相之間的中間相的有機物。它既有液態(tài)的流動性也有晶態(tài)的各向異性，有時人稱他為第四態(tài)。
液晶種類繁多，用途最/廣，前景最大的要屬TN(低檔)、STN（中高檔）、TFT（高檔）型。TN、STN及TFT三種型號所組成的單體液晶，主要包括芳香酯類、聯(lián)苯類、苯基環(huán)已烷類、鐵電類以及含氟液晶品等五種，它們是當今及今后使用及發(fā)展的主要對象。這類高純試劑要求含量高（≥99﹪），水分含量低（≤10-6），金屬雜質(zhì)含量少（≤10-6）。
